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第三代半导体4
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SiC Epitaxial Reactor 碳化矽磊晶系统HTCVD
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SiC Epitaxial Reactor 碳化矽磊晶系统HTCVD

制程参数优异

设备安全性高

生产效率优异

工程投入降低

设备可靠性优

设备延展性强
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SiC Grinding 碳化矽晶圆减薄设备
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